Samsung hat die Massenproduktion von vertikalem 3D-Flash-Speicher (V-NAND) gestartet. Die vertikale Anordnung dieses Speichertyps überwindet die gängige Skalierungs-Strategie, in der höhere Speicherdichte nur durch kleinere Strukturen auf einer Ebene möglich war. Der neue Speicher eignet sich gut für SSDs, wodurch hier höhere Speicherkapazitäten möglich werden. * Die neue Technik ermöglicht eine Kapazität von 128 Gb in einem einzigen Chip. Samsungs vertikale Struktur, die auf der...

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News Quelle: Elektor
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