Forscher des Max-Planck-Instituts für Mikrostrukturphysik haben ein Speicherelement entwickelt, das vier logische Zustände kennt. Das Element besteht aus einem Sandwich von ferromagnetischen und ferroelektrischen Materialen. Mit einem elektrischen Impuls können sowohl die elektrischen als auch die magnetischen Eigenschaften des Elements umgeschaltet werden, wodurch der Tunnelwiederstand vier unterschiedliche Werte annehmen kann. Auf diese Weise kann die Speicherdichte MRAM-Speicher (Magnetic...

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News Quelle: Elektor
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