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Thema: High-Side Schaltung mit Mos-Fet

  1. #1
    Neuer Benutzer Öfters hier
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    High-Side Schaltung mit Mos-Fet

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    Hallo zusammen

    Bräuchte mal etwas Hilfe von euch.

    Folgende Ausganglage:

    1. Ich verwende einen Mikrocontroller der mit 3.3V betrieben wird.
    2. Der Ausgang des Mikrocontrollers kann 20mA liefern.

    Problem:

    Ich möchte eine Speicherkarte ausschalten, mit einem Ausgang des Mikrocontrollers.
    Da die Speicherkarte bis zu 100mA zum schreiben benötigt, kann ich leider nicht direkt den ausgang des uc verwenden.

    Ich dachte also an eine Schaltung mit einem Mos-Fet, der Mos_Fet wäre dann als High Side Switch zu verwenden richtig? Dass spezielle an meiner Schaltung ist hald dass die Spannung zum Schalten sowie die zu schaltende Spannung 3.3V ist.

    Hat wer sowas ähnliches schon mal gemacht? Wäre toll wenn ihr mich unterstützen könntet.



    LG Anu

  2. #2
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    Sollte ja kein Problem sein, schau dir das mal an: http://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor
    und speziell den Punkt Transistor als Schalter

    Würde dir aber empfehlen lowside zu schalten - das vereinfacht das ein wenig

  3. #3
    Neuer Benutzer Öfters hier
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    Also müsste ich dann die beiden GND's der SD Karte Schalten ?
    Keine Ahnung warum, aber die Lösung ist mir einfach nicht so sympatisch.
    Werde es aber wohl doch so versuchen, wie du sagst ist es einiges einfacher..

    LG

  4. #4
    Erfahrener Benutzer Roboter Genie Avatar von BMS
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    Hallo,
    wenn die Speicherkarte "nur" 100mA braucht, kannst du auch einen pnp-Transistor mit Basisvorwiderstand verwenden. (Z.B. BC556 oder BC638 )
    Also im Prinzip den rechten Teil dieses Schaltplans (an 3,3V):
    http://www.rn-wissen.de/index.php/Bi...er_npn_pnp.png
    Grüße, Bernhard

  5. #5
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    Wenn der Stromverbrauch keine so grosse Rolle spielt, dann ist der PNP-Transistor natürlich die günstigste und einfachste Lösung. Allerdings muss man da (je nach Verstärkungsfaktor des Transistors und Sicherheitsfaktor bei der Dimensionierung) mit mindestens etwa 1 mA Basisstrom bei eingeschalteter Speicherkarte rechnen (auch wenn die Karte tatsächlich nur wenige mA braucht). Wenn das ein Problem ist, dann könnte man alternativ auch einen P-Kanal Mosfet mit hinreichend niedriger Treshold-Spannung nehmen.

  6. #6
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    Hallo!

    @ Anu

    Wenn die unbekannte Versorgungsspannung der Speicherkarte höher als des µCs ist, dann ist in der o.g. Schaltung vom BMS noch den Transistor T2 sicher sperrender Widerstand zwischen Basis und Emitter notwendig. Es wäre dann empfehlenswert als T2 ein Darlington (mit Ube = ca. 1,4 V zu verwenden.
    MfG (Mit feinem Grübeln) Wir unterstützen dich bei deinen Projekten, aber wir entwickeln sie nicht für dich. (radbruch) "Irgendwas" geht "irgendwie" immer...(Rabenauge) Machs - und berichte.(oberallgeier) Man weißt wie, aber nie warum. Gut zu wissen, was man nicht weiß. Zuerst messen, danach fragen. Was heute geht, wurde gestern gebastelt. http://www.youtube.com/watch?v=qOAnVO3y2u8 Danke!

  7. #7
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    Danke für die hilfe.

    Die NPN Schaltung funktioniert, habe sie mit dem Electina getestet.
    Die PNP Schaltung geht leider nicht...

    hmm
    Miniaturansichten angehängter Grafiken Miniaturansichten angehängter Grafiken ScreenHunter_11 Apr. 19 14.16.jpg  

  8. #8
    Erfahrener Benutzer Roboter Genie Avatar von BMS
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    Hallo,
    so wie du die Schaltung simuliert hast, wird der Transistor zunächst sperren. Damit der pnp-Transistor schaltet, muss du "Low" also 0V vor dem Basisvorwiderstand anbieten.
    Grüße, Bernhard

  9. #9
    Neuer Benutzer Öfters hier
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    Also nun mal ganz von vorne.

    Der Grund warum ich die Versorgung der Speicherkarte schalten möchte ist der Stromverbrauch, der liegt bei ca. 250 uA wenn nicht gelesen oder geschrieben wird. Da ich die Speicherkarte nur ca. alle 20 Tage beschreiben muss finde ich die 250uA etwas viel, da der Rest der Schaltung nur ca. 130 uA braucht.

    Wichtig ist hald dass die Speicherkarte ca. 3-3.3 V bekommt und sollte stabil sein.

    Habe das ganze auch mit MOS-Fet versucht, jedoch get da die Schaltung nur wenn die Last Spannung die ich schalten möchte etwas höher als 3.3 V ist.

    Den Last Widerstand im Bild 33 Ohm kenne ich auch nicht sicher, habe einfach 3.3V/ 100mA gerechnet >.>

    So habe ich das mit den Mos-Fets versucht Bild im Anhang

    Gruss und Danke
    Miniaturansichten angehängter Grafiken Miniaturansichten angehängter Grafiken ScreenHunter_12 Apr. 19 14.34.jpg  

  10. #10
    Erfahrener Benutzer Roboter Genie Avatar von BMS
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    Der MOSFET kann bei so niedrigen Spannungen zwischen Gate und Source noch gar nicht richtig durchschalten. Du brauchst einen Logic Level FET, der auch schon mit so geringen Spannungen auskommt.
    Siehe http://www.mikrocontroller.net/artic...mente#P-MOSFET

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