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Thema: L298

  1. #1
    Neuer Benutzer Öfters hier
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    L298

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    Hallo,

    ich bin gerade dabei, den Kühlkörper für ein L298 IC für eine Schrittmotorenansteuerung zu dimensionieren. Im Datenblatt sind drei Werte für die Sättigungsspannung angegeben: VCEsat(H), VCEsat(L) und VCEsat, jeweils für 1 und 2 Ampere Last. Welche 'Spannung muss ich verwenden, um die Verlustleistung zu bestimmen?

    Danke
    Stefan

  2. #2
    Erfahrener Benutzer Lebende Robotik Legende Avatar von PICture
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    Hallo Paro!

    Weil bei Kühlkörper Berechnung die gesamte Wärme die im Bauteil ensteht zählt, musst du gesamten Spannungsabfall, also VCEsat für deinen tatsächlichen Strom nehmen. Für "worst case" würde ich den maximalen Strom, also 2 A nehmen.

    MfG

  3. #3
    Neuer Benutzer Öfters hier
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    ok, danke. Dann stellen sich mir noch zwei weitere Fragen:

    -Wofür stehen die Werte VCEsat(H) und VCEsat(L)? Im Datenblatt steht "Source Saturation Voltage" und "Sink Saturation Voltage", die Begriffe habe ich aber noch nicht gehört. Was verbirgt sich dahinter?

    -Ich dachte, dass die Sättigungsspannung eines Bipolartransistors typischerweise im Bereich von 0,1V liegt (und dem Spannungsabfall über zwei entgegengeschalteter Dioden in Durchlassrichtung entspricht). Woher kommt der viel höhere Wert von 4.9V (bei 2A Last)?

    Viele Grüße

  4. #4
    Moderator Robotik Einstein Avatar von Kampi
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    Die höhere Sättigungsspannung würde ich mit der größeren Chipfläche in Verbindung bringen. Du musst ja 2A dauerhaft treiben. Da muss der Siliziumchip etwas größer dimensioniert werden als bei so einem einfachen Transistör mit 100mA.

  5. #5
    Erfahrener Benutzer Lebende Robotik Legende Avatar von PICture
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    Ich kann deine Fragen nur versuchen zu beantworten, weil detailierter Schaltplan von dem IC ist leider unbekannt.

    "Source Saturation Voltage" und "Sink Saturation Voltage" bedeuten eine Sättigungsspannung wenn der Strom aus bzw. in den IC fliesst.

    Weil in H-Brücke leiten gleichzeitig immer zwei seriell geschaltete Transistoren, der Spannungabfall verdoppelt sich.

    Der erhöhte Wert von 4,9 V könnte durch wegen Geschwindigkeit (PWM) nötige geringe bzw. keine Sättigung der Transistoren kommen.

    MfG

  6. #6
    Erfahrener Benutzer Begeisterter Techniker
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    moin moin,

    >>Die höhere Sättigungsspannung würde ich mit der größeren Chipfläche in Verbindung bringen

    Einfach Ulk.

    Um den hohen Strom treiben zu können werden in diesem Uralt-IC mehrere Transistoren als Darlington geschaltet. Die Schalt und Sättigungsspannungen addieren sich zu unangemehm hohen Werten.
    Siehe auch heir:
    http://www.elektronik-kompendium.de/...lt/0411221.htm

    Warum willst Du diesen Opa einsetzen?
    Nimm besser den TB6560AHQ, der kostet auch nur 5€ Bei Darisus und ist um vieles besser.

    Mit Gruß
    Peter

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