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Thema: Rds(on) in Pspice ändern/variieren - Modellparameter ändern?

  1. #1

    Rds(on) in Pspice ändern/variieren - Modellparameter ändern?

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    So, meine Frage:
    Wie kann man aus den Modell-Parametern aus SPICE den Rds(on) berechnen?

    Mein Vorhaben:
    Kondensator über einen MOSFET so schnell wie möglich entladen (ungef. 660ns). Spannung am Kondensator sind 29V.
    Die Entladezeit hängt von dem Entladewiderstand in Reihe mit dem Widerstand des MOSFETs (Rds(on)).

    Mein Problem:
    Um einen geeigneten MOSFET zu wählen (bzw. eine Liste von MOSFETS die meine Toleranz einhalten) will ich die Entladezeit abhängig von dem Rds(on) mittels pspice messen. Danach aus den Datenblättern die in Frage kommenden MOSFETS (nach ihrem Rds(on)-Wert) auswählen.
    Nun benutze ich einen SPICE-Modell der diesen Rds(on)-Wert nicht ausdrücklich angibt. Nun will ich wissen wie die Modell-Parameter in den Rds(on)-Wert eingehen, bzw. welchen Parameter ich "hochlaufen" (sweepen) lassen soll um die verschiedenen Einflüsse und Ausschaltzeiten zu messen.

    Hat da jemand eine Ahnung?

    hier die modell-parameter für das IRF150 von International Rectifier (standart dabei im pspice for students 9.1)
    -----------------------------------------------------------------------
    .model IRF150 NMOS(Level=3 Gamma=0 Delta=0 Eta=0 Theta=0 Kappa=0 Vmax=0 j=0 Tox=100n Uo=600 Phi=.6 Rs=1.624m Kp=20.53u W=.3 L=2u Vto=2.831 Rd=1.031m Rds=444.4K Cbd=3.229n Pb=.8 Mj=.5 Fc=.5 Cgso=9.027n Cgdo=1.679n Rg=13.89 Is=194E-18 N=1 Tt=288n)
    -----------------------------------------------------------------------

    Ich hab schon einige dieser Widerstände (Rs,Rd,Rds) über Bereichen von 1mOhm zu 100kOhm hochlaufen lassen, aber die auswirkungen sind so minimal, das sie nicht stimmen können... also d.h. keiner dieser Werte ist das gesuchte Rds(on)...

    Danke fürs lesen und ich hoffe ihr könnt mich helfen!

    Gelesen habe ich Modellbeschreibungen von SPICE (level 1 und level 3), hab mir die Ersatzschaltbilder angeschaut und hab überall im Netz rumgeschaut... aber ohne Erfolg
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    p.s. Natürlich kann ich auch auf alle Fälle die MOSFETs den mit dem kleinsten möglichen Rds(on)-Wert auswählen und bin auf der sicheren Seite, aber ich will die Abhängigeit in versch. Messungen protokollieren

  2. #2
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    Das lässt sich auch ohne Spice von Hand ausrechnen! Man müsste nur wissen, wie groß der Kondensator ist...

    Die Zeitkonstante tau ist R mal C. Nach 3*tau ist nur noch 5% drin, nach 5*tau sind es 0,7%, was man meistens schon als "leer" ansehen kann. (Theoretisch würde es unendlich lange dauern, den Kondensator zu entladen)

  3. #3
    Jop, danke, das ist mir schon klar einfach die Zeit ausrechnen die der Kondensator braucht um sich über Rds(on)+Entladewiderstand zu entladen.

    was ich will st das ganze simulieren und verschiedene plots bekommen. Um dann Worst-Case simulationen zu machen, Temperaturabhängigkeiten usw... bzw. wissen welche modellparameter sich wie stark auf meinem ausschaltvorgang bemerkbar machen und zu welchen datenblatt-daten sie entsprechen...
    und wenn man schon die Modellparameter der Transistoren hat muss man doch daraus doch irgendwie ungefähr den Rds(on)-Wert berechnen können oder nicht?

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