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Ergebnis 1 bis 7 von 7

Thema: Kurze Frage zu RDs on

  1. #1
    Erfahrener Benutzer Fleißiges Mitglied
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    Kurze Frage zu RDs on

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    Hi,
    wie ist das bei Mosfets: Sind diejenigen mit einem kleinen RDs(on) "besser", weil sie weniger Widerstand haben und sich also weniger erwärmen, wenn man eine pwm baut, wo ein höherer Strom geregelt wird (> 8 Ampere)?
    Je weniger Widerstand, desto besser - kann man das so sagen?

    Weil ein Buz11 wird ganz heiss, aber ein ausgelöteter Mosfet aus einem Bildschirm bleibt in der selben Schaltung kalt und ich weiss nicht warum.

    mfg
    Triti

  2. #2
    Erfahrener Benutzer Roboter-Spezialist
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    Der Buz11 hat ein rds von max 0.04R bei 10V, also verbratest dort 2.5W bei 8A.
    Ein kleinerer rds von bspw 0.02R würde die Leistung die in Wärme umgesetzt wird auf 1.28W halbiert.
    Eventuell ist aber nur Deine Gatesspannung zu tief und dadurch der rds zu hoch.
    Gruss Robert

  3. #3
    Erfahrener Benutzer Fleißiges Mitglied
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    Danke für die Antwort,

    aber warum hat das was mit der Gatespannung zu tun? Da habe ich nur 5V zur Verfügung. Moment mal: Der Widerstand im Mosfet sinkt, wenn die Spannung am Gate höher ist? Weil im Datenblatt steht nur Vgs=10, da sehe ich also keine Unterschiede.

    Verlustleistung Pv=Ur*I^2
    (8A*8A)*0,04Ohm=2,56W
    (8A*8A)*0,02Ohm=1,28W
    aha, so ist das.
    Warum gibts da eigentlich ein Quadrat bei I?

    lg
    Triti

  4. #4
    Erfahrener Benutzer Roboter Genie
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    In beiden Faellen solltest du trotzdem Kuehlkoerper verwenden.
    Wie mein Vorschreiber schan sagte: Die Gate Spannung muss hoch genug sein und zusaetzlich spielt die Schaltgeschwindigkeit eine Rolle.

    MFG

    ps: U=R*i
    P=u*i

  5. #5
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    Das Quadrat kommt daher das :
    P=U*I
    U=R*I
    zusammengefasst
    P=(R*I)*I = P=R*I*I = P=R*I²

    MFG
    Ralf

  6. #6
    Erfahrener Benutzer Robotik Einstein
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    Bei statischer Ansteuerung ist Ugs und Rds_on entscheidend, wenn der MOSFET bei Dir schnell schaltet, spielen neben der Betriebsspannung des Treibers deren Innenwiderstand, die Gatekapazität des MOSFETs und der Rds_on eine Rolle, aber das führt wohl etwas zu weit. Bei Dir vermute ich mal, dass der irgendwo ausgelötete MOSFET zufällig mit einer kleineren Ugs klarkommt. Wichtig wäre, dass Du Dir einen MOSFET besorgst, der garantiert!!! bei 5V voll leitet, also eine Ugs_th (Schwellspannung) von <<5V hat, und das ist bei den Logic-Level-MOSFETs der Fall. Bei IRF heissen die dann meistens irgendwas mit IRL..., einfach mal gucken, was Reichelt so hat und dann bei irf.com in die Datenblätter schauen.
    Und am Wochenende dann erstmal Ohmsches Gesetz und andere Grundlagen verinnerlichen, ja

  7. #7
    Erfahrener Benutzer Fleißiges Mitglied
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    Kapiert und ausgedruckt.
    Werde brav lernen.
    Danke!

    lg
    Triti

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