Forschungserfolg: Erste GaN-LED-Chips auf Silizium

Forschern von OSRAM Opto Semiconductors ist es gelungen, leistungsfähige Prototypen blauer und somit auch weißer LED herzustellen, bei der die lichtemittierenden GaN-Schichten auf 6“-Silizium-Wafern (150 mm Durchmesser) aufgebracht wurden. Das Silizium ersetzt dabei ohne Qualitätsverlust bisher übliche und deutlich teurere Saphir-Substrate. Die neuen LED-Chips befinden sich bereits im Pilotstatus und werden unter realen Bedingungen getestet. Erste LEDs auf Silizium könnten laut OSRAM schon in...

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News Quelle: Elektor
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