Verbessertes Germanium besser als Silizium

Das Material der ersten primitiven Transistoren vor 60*Jahren kann so modifiziert werden, dass es Potential für zukünftige Elektronik hat. Chemikern der Ohio State University gelang die Entwicklung einer Technologie, mit der die Produktion einlagiger Atomschichten aus Germanium möglich ist. Diese Schichten leiten Elektronen um den Faktor*10 schneller als Silizium und immer noch um den Faktor*5 schneller als "normales" Germanium. * Diese Germaniumschichten ähneln...

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News Quelle: Elektor
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