Dual-MOSFET mit Gateschwelle von 0 V

Die Familie ALD212900A/ALD212900 beherbergt monolithische Dual-N-Kanal-MOSFETs. Die Chips sind auch im achtpoligen SOI-Gehäuse erhältlich. Das Besondere daran aber ist die Schwelle der Gate-Spannung, die hier bei erstaunlichen 0 V liegt. Die MOSFETs überzeugen auch durch andere Eigenschaften. Ihr dynamischer Bereich von einigen Nanoampere bis hin zu einigen 10 mA entspricht einem Stromverhältnis von mehr als 1:10.000.000. Der Eingangsstrom beträgt bei einem Drain-Strom von einigen mA nur 300...

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News Quelle: Elektor
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