Die Jagd nach dem FinFET

Wäre Moore Law ein echtes Gesetz, würde sich demnächst die Halbleiterindustrie strafbar machen. Nachdem Intel es mit dem Umstieg von 22- auf 14-nm-Strukturen gerade so geschafft hat, die „Vorgaben“ von Moore einzuhalten, wird klar, dass das Einhalten dieses unerbittlichen Zeitplans immer aufwändiger und immer teuerer wird. Daher werden Forscher gezwungen, neue Wege zu gehen und sich mit immer extremereren Technologien zu experimentieren.

Diese steil steigenden Kosten und der enormae Aufwand waren zentrale Themen bei zwei Foundry Events im Silicon Valley. Schon 2013 gaben die Fertiger Globalfoundries, TMSC, IBM und Samsung anlässlich entsprechender Events Ausblicke über ihre Strategien. Fast alle Halbleiterhersteller haben ihre Fertigung an Foundries ausgelagert und fertigen nur noch „fabless“. Bislang segeln aber alle im Schatten von Intel.
Doch werden ihre ersten leistungssteigernden FinFET-Prozesse nicht vor 2015 in Serie gehen, was immerhin drei Jahre nach Intels erstem FinFET-Chip ist. Die ersten 14-nm-Strukturen werden dabei lediglich dreidimensionale Transistoren hinzufügen, was die Packungsdichte nicht sonderlich steigert, aber die Investitionskosten explodieren lässt. Neue Technologien wie EUV-Lithographie und Kohlenstoff-Nanoröhren sind noch weit entfernt.
TSMC alleine wird 2014 mehr als 10 Milliarden Dollar für Fabrikausbau und Forschung ausgeben. Dabei ist die Konkurrenz extrem hart und Intel bietet zudem auch noch Auftragsfertigung in seinen Fabriken an. Es werden also schwere Zeiten für die Handleiterindustrie und bisher gut Funktionierendes kann leider nicht mehr einfach in die Zukunft skaliert werden.

Bild: FinFET-Schema von Cepheiden



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News Quelle: Elektor
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