Step up Boost converter Hochsetzsteller

Hallo,

möchte aus 14VDC ca. 26VDC haben. Die durchschnittliche Strombelastung liegt denke ich bei knappen 10 mA. Es geht darum, einen selbstgebauten MOSFET-Treiber anzusteuern, der je nach PWM einen MOS ansteuert. Um eine anständige GS-Spannung zu kriegen habe ich eine Ladungspumpe gebaut, die ca. 27 V liefert. Ich habe aber das Problem, dass ich beim ansteuern des MOS immer mords den Spannungseinbruch krieg. Die Spannung bricht auf Vbatt zusammen und baut sich langsam auf ca. 19 bis 20 V auf. Die Frequenzgenerierung für die Ladungspumpe wird über einen Komparator realisiert. Zugegeben, recht schlampig, aber billig und zuverlässig. Das Problem hierbei ist, dass unter Last des Outputs am Komparator (CP angeschlossen) die Ausgangsspannung da schon ein wenig einbricht. Wenn dann noch die CP an den Treiber angeschlossen ist, dann ist der offen ganz aus, was das Rechtecksignal am Komparator anbelangt.
Ich vermute, dass ein Hochsetzsteller zuverlässiger laufen wird und bei meinem geringen Strombedarf (auch wenn mal kurzfristig vielleicht 100mA nötig sein könnten, aber echt nur ganz kurz :-)) besser geeignet wäre. Habe bei Wikipedia unter Hochsetzsteller ein Bild gefunden. Habe auch eine Software runtergeladen (Switchercard III - mit der Bedienung klappt es nicht so recht) und mich gleichzeitig versucht in Foren schlau zu machen aber leider aussichtslos. Kann mir jemand bitte behilflich sein. Wie gehe ich vor um dieses Problem zu lösen? Ist ein Schaltplan wie auf Wiki beschrieben gut genug? Wie dimensioniere ich meine Komponenten?

Danke bereits im Voraus!

mfg

Pukie

Hallo Pukie,
Nimm den MC34063A Dip8 oder auch SMD.
http://www.reichelt.de/?SID=25RUlZqa...OLE=0;TYPE=AND
Hier gibt es auch ein Desingn-Tool
http://www.nomad.ee/micros/mc34063a/index.shtml
Als Induktivität sind High Current Funkentstördrosseln von Reichelt bestens geeignet.
Wie ich sehe hat Reichelt inzwischen auch SMD-Power-Induktivitäten die für Dich geeignetz wären.

http://www.reichelt.de/?SID=25RUlZqa...2;GROUPID=3181

Dann ist der Speicherkondensator der Pumpe zu klein. Alle üblichen MOSFET-Treiber für Highside-N-Kanal arbeiten mit Ladungspumpen, wobei die Cs im Bereich um 220nF liegen, was ja auch bei näherem Hinsehen kein Problem sein sollte: wenn das Gate 5nF und der C 200nF hat, verschwinden gerade mal 2,5% der Ladung im Gate, das sollte zu verkraften sein. Kann es sein, dass Deine Treiberschaltung den Löwenanteil des Stromes verputzt?

Hi!
Nur mal so ne Anmerkung am Rande: So ziemlich alle N-FET's vertragen GS-Spannungen von maximal +-20V! Deine 27V werden auf kurz oder lang (eher kurz) das Gate deines FET zerstören!
Nimm auf keinen Fall ne höhere Spannung als 20V (es sei denn, er wird High-Side angesteuert)!

MfG
Basti

Hallo,
Vielen dank für eure hilfe!
@KlaRAW: Danke für den tip mit dem MC34063A, aber ich sollte keinen Baustein verwenden. Eine konventionelle Lösung ist nur möglich.

@shaun: ich vermute, dass das der Fall ist, dass die Schaltung viel zu viel Strom zieht, aber ich weiß nicht wo... Ich werde heute mal versuchen mit einer Strommesszange den pfad zu verfolgen, damit ich evtl. an der Schaltung was ändern kann. Aber die 2 Elko, der mit der Masse verbunden sind haben 10uF und die anderen 2, die mit dem "Frequenzgenerator" verbunden sind haben 1 uF. Ich habe in pspice mal ein wenig simuliert, aber ich habe normalerweise eine recht hohe Leistung am Ausgang der pumpe, trotzdem reicht es nicht ganz aus...

@Basti: Mein Mos hat eine GS-Spannung von ca. 6 bis 13 V, da ich ja an der Source die Last hab, an der ca. 14 V abfallen. Ich glaube das nennt man High-side-konfiguration? Weil die Spannung am Mos ein bissi höher ist wie an der last (wegen dem RDSon)?!

ich bin euch bereits für weitere unterstützung dankbar!

pukie

Such mal nach Blocking Oszillator. Ich hatte hier auch mal einen Schaltplan gepostet. Das könnte in Deinem Fall ausreichend sein. Du brauchst dafür nur einen Transistor als aktives Element.